软击穿是指 器件在温度上升后出现击穿，但其结构并未完全破坏，击穿条件去除后，器件的功能可能得到恢复或部分恢复。与硬击穿不同，软击穿不会一次性造成器件的永久性失效，如输出与输入开路或短路。软击穿的三极管虽然性能已经下降，但在应急情况下可能仍能暂时工作，但随时可能转变为硬击穿而完全失效。软击穿的特点和原

WO4三极管可以用以下型号代替：8050 和 8550：这两种NPN型三极管通常可以用于替换WO4，因为它们在功能和封装上具有相似性。2SC2859-GR：这也是一个NPN型三极管，可以用作WO4的替代品。在选择替代三极管时，请确保替代器件的参数和性能与原始器件相似或更好，并参考器件的数据手册以确认

金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海铃岳电子科技有限公司申请一项名为“一种用于霍尔器件的可调节式固定支架”的专利，公开号CN 119758198 A，申请日期为2025年3月。专利摘要显示，本发明涉及一种用于霍尔器件的可调节式固定支架，包括：底座，具有设在内部的槽口和设在四边的